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参数资料
| 型号： | MC35XS3400DPNAR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/46页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH HIGH SIDE QUAD 24QFN |
| 标准包装： | 1,200 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 4 |
| Rds（开）： | 35 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 6A |
| 输入电压： | 6 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-PowerQFN |
| 供应商设备封装： | 24-PQFN（12x12） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Table 4. Static Electrical Characteristics
Characteristics noted under conditions 6.0 V ? V PWR ? 20 V, 3.0 V ? V DD ? 5.5 V, - 40 ? C ? T A ? 125 ? C, GND = 0 V, unless
otherwise noted. Typical values noted reflect the approximate parameter means at T A = 25 °C under nominal conditions, unless
otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
POWER INPUTS
Battery Supply Voltage Range
V PWR
V
Fully Operational
Extended mode (11)
6.0
4.0
–
–
20
28
Battery Clamp Voltage
V PWR(CLAMP)
41
47
53
V
V PWR Operating Supply Current
I PWR(ON)
mA
Outputs commanded ON, HS[0 : 3] open, IN[0:3] > V IH
V PWR Supply Current
Outputs commanded OFF, OFF OpenLoad Detection Disabled,
HS[0 : 3] shorted to the ground with V DD = 5.5 V ?
I PWR(SBY)
–
–
6.5
6.0
20
8.0
mA
WAKE > V IH or RST > V IH and IN[0:3] < V IL
Sleep State Supply Current
V PWR = 12 V, RST = WAKE = IN[0:3] < V IL , HS[0 : 3] shorted to the
ground
I PWR(SLEEP)
? A
T A = 25 °C
T A = 85 °C
–
–
1.0
–
5.0
30
V DD Supply Voltage
V DD(ON)
3.0
–
5.5
V
V DD Supply Current at V DD = 5.5 V
I DD(ON)
mA
No SPI Communication
8.0 MHz SPI Communication (13)
–
–
1.6
5.0
2.2
–
V DD Sleep State Current at V DD = 5.5 V
Over-voltage Shutdown Threshold
Over-voltage Shutdown Hysteresis
Under-voltage Shutdown Threshold (14)
V PWR and V DD Power on Reset Threshold
V DD Supply Failure Threshold ( for V PWR > V PWR(UV) )
Recovery Under-voltage Threshold
I DD(SLEEP)
V PWR(OV)
V PWR(OVHYS)
V PWR(UV)
V SUPPLY(POR)
V DD(FAIL)
V PWR(UV)_UP
–
28
0.2
3.3
0.5
2.2
3.4
–
32
0.8
3.9
–
2.5
4.1
5.0
36
1.5
4.3
0.9
2.8
4.5
? A
V
V
V
V PWR(UV)
V
V
OUTPUTS HS0 TO HS3
Output Drain-to-Source ON Resistance ( I HS = 2.0 A, T A = 25 ? C)
R DS(ON)_25
m ?
V PWR = 4.0 V
V PWR = 6.0 V
V PWR = 10 V
V PWR = 13 V
–
–
–
–
–
–
–
–
100
55
35
35
Notes
11. In extended mode, the functionality is guaranteed but not the electrical parameters. From 4.0 to 6.0 V voltage range, the device is only
protected with the thermal shutdown detection.
12. Measured with the outputs open.
13. Typical value guaranteed per design.
14. Output will automatically recover with time limited autoretry to instructed state when V PWR voltage is restored to normal as long as the
V PWR degradation level did not go below the under-voltage power-ON reset threshold. This applies to all internal device logic that is
supplied by V PWR and assumes that the external V DD supply is within specification.
Analog Integrated Circuit Device Data ?
Freescale Semiconductor
35XS3400
7
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