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参数资料
| 型号： | MC56F8322VFAER2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/136页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC HYBRID CTRLR 16BIT 48-LQFP |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | 56F8xxx |
| 核心处理器： | 56800E |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 60MHz |
| 连通性： | CAN，SCI，SPI |
| 外围设备： | POR，PWM，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 21 |
| 程序存储器容量： | 40KB（20K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 6K x 16 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.25 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 6x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 48-LQFP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
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56F8322 Techncial Data, Rev. 16
110
Freescale Semiconductor
Preliminary
Figure 10-2 shows the definitions of the following signal states:
Active state, when a bus or signal is driven, and enters a low impedance state
Tri-stated, when a bus or signal is placed in a high impedance state
Data Valid state, when a signal level has reached VOL or VOH
Data Invalid state, when a signal level is in transition between VOL and VOH
Figure 10-2 Signal States
10.4 Flash Memory Characteristics
Table 10-12 Flash Timing Parameters
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program time1
1. There is additional overhead which is part of the programming sequence. See the 56F8300 Peripheral User Manual for details.
Program time is per 16-bit word in Flash memory. Two words at a time can be programmed within the Program Flash module,
as it contains two interleaved memories.
Tprog
20
—
μs
Erase time2
2. Specifies page erase time. There are 512 bytes per page in the Data and Boot Flash memories. The Program Flash module
uses two interleaved Flash memories, increasing the effective page size to 1024 bytes.
Terase
20
—
ms
Mass erase time
Tme
100
—
ms
Data Invalid State
Data1
Data2 Valid
Data
Tri-stated
Data3 Valid
Data2
Data3
Data1 Valid
Data Active
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PDF描述 |
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参数描述 |
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