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参数资料
| 型号： | MCIMX355AVM4B |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 100/147页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPU I.MX35 400MAPBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | i.MX35 |
| 核心处理器： | ARM11 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 400MHz |
| 连通性： | 1 线，CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 96 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 128K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.22 V ~ 1.47 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 400-LFBGA |
| 包装： | 托盘 |
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i.MX35 Applications Processors for Automotive Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
56
NOTE
SDRAM CLK and DQS-related parameters are measured from the 50%
point—that is, “high” is defined as 50% of signal value and “low” is defined
as 50% of signal value.
The timing parameters are similar to the ones used in SDRAM data sheets.
Table 44 indicates SDRAM requirements. All output signals are driven by
the ESDCTL at the negative edge of SDCLK, and the parameters are
measured at maximum memory frequency.
Figure 35. Mobile DDR SDRAM DQ versus DQS and SDCLK Read Cycle Timing Diagram
NOTE
SDRAM CLK and DQS-related parameters are measured from the 50%
point—that is, “high” is defined as 50% of signal value, and “low” is defined
as 50% of signal value.
The timing parameters are similar to the ones used in SDRAM data sheets.
Table 45 indicates SDRAM requirements. All output signals are driven by
the ESDCTL at the negative edge of SDCLK, and the parameters are
measured at maximum memory frequency.
Table 45. Mobile DDR SDRAM Read Cycle Timing Parameters
ID
Parameter
Symbol
Min. Max. Unit
SD21 DQS – DQ Skew (defines the Data valid window in read cycles related to DQS).
tDQSQ
—
0.85
ns
SD22 DQS DQ HOLD time from DQS
tQH
2.3
—
ns
SD23 DQS output access time from SDCLK posedge
tDQSCK
—
6.7
ns
SDCLK
DQS (input)
DQ (input)
Data
SD23
SD21
SD22
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCIMX355AVM4BR2 | 功能描述:处理器 - 专门应用 RINGO MX35 TO2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX355AVM5B | 功能描述:处理器 - 专门应用 RINGO MX35 TO2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX355AVM5BR2 | 功能描述:处理器 - 专门应用 RINGO MX35 TO2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
| MCIMX356AJM5B | 功能描述:开发板和工具包 - ARM RINGO MX35 TO2 RoHS:否 制造商:Arduino 产品:Development Boards 工具用于评估:ATSAM3X8EA-AU 核心:ARM Cortex M3 接口类型:DAC, ICSP, JTAG, UART, USB 工作电源电压:3.3 V |
| MCIMX356AJM5BR2 | 功能描述:处理器 - 专门应用 RINGO MX35 TO2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
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