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参数资料
| 型号： | MM908E621 |
| 厂商： | 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 |
| 英文描述： | Integrated Quad Half-Bridge and Triple High-Side with Embedded MCU and LIN for High End Mirror |
| 中文描述： | 综合四半桥和三高的嵌入式微控制器和LIN高端侧镜 |
| 文件页数： | 2/62页 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | MM908E621 |
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Analog Integrated Circuit Device Data
10
Freescale Semiconductor
908E621
Static Electrical Characteristics
LIN Physical Layer
LIN Transceiver Output Voltage
Recessive State, TXD HIGH, IOUT = 1.0 A
Dominant State, TXD LOW, 500
External Pullup Resistor
VLIN_REC
VLIN_DOM
VSUP-1
—
1.4
V
Normal Mode Pullup Resistor to VSUP
RPU
20
30
47
k
Stop, Sleep Mode Pullup Current Source
IPU
—20
—
A
Output Current Shutdown Threshold
IBLIM
100
230
280
mA
Output Current Shutdown Timing
IBLS
5.0
–
40
s
Leakage Current to GND
VSUP Disconnected, VBUS at 18V
Recessive state, 8V
≤ VSUP ≤ 18V, 8V ≤ VBUS ≤ 18V, VBUS ≥ VSUP
GND Disconnected, VGND = VSUP, VBUS at -18V
IBUS
IBUS-PAS-REC
IBUS-NOGND
–
0.0
-1.0
1.0
3.0
–
10
20
1.0
A
mA
LIN Receiver
Receiver Threshold Dominant
Receiver Threshold Recessive
Receiver Threshold Center
Receiver Threshold Hysteresis
VBUS_DOM
VBUS_REC
VBUS_CNT
VBUS_HYS
–
0.6
0.475
–
0.5
–
0.4
–
0.525
0.175
VSUP
Table 3. Static Electrical Characteristics (continued)
All characteristics are for the analog chip only. Refer to the 68HC908EY16 datasheet for characteristics of the microcontroller
chip. Characteristics noted under conditions 9.0 V ≤ VSUP ≤ 16 V, -40°C ≤ TJ ≤ 125°C unless otherwise noted. Typical values
noted reflect the approximate parameter mean at TA = 25°C under nominal conditions unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
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PDF描述 |
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参数描述 |
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