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参数资料
| 型号： | MM908E621ACDWBR2 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SW QUAD HB/TRPL HISID 54-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 应用： | 自动镜像控制 |
| 核心处理器： | HC08 |
| 程序存储器类型： | 闪存（16 kB） |
| 控制器系列： | 908E |
| RAM 容量： | 512 x 8 |
| 接口： | SCI，SPI |
| 输入/输出数： | 12 |
| 电源电压： | 9 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 54-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽）裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 供应商设备封装： | 54-SOICW-EP |
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Analog Integrated Circuit Device Data
10
Freescale Semiconductor
908E621
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
LIN PHYSICAL LAYER
LIN Transceiver Output Voltage
Recessive State, TXD HIGH, IOUT = 1.0 μA
Dominant State, TXD LOW, 500
Ω External Pull-up Resistor
VLIN_REC
VLIN_DOM
VSUP-1
—
1.4
V
Normal Mode Pull-up Resistor to VSUP
RPU
20
30
47
k
Ω
Stop, Sleep Mode Pull-up Current Source
IPU
—20
—
μA
Output Current Shutdown Threshold
IBLIM
100
230
280
mA
Output Current Shutdown Timing
IBLS
5.0
–
40
s
Leakage Current to GND
VSUP Disconnected, VBUS at 18 V
Recessive state, 8.0 V
≤ VSUP ≤ 18 V, 8.0 V ≤ VBUS ≤ 18 V, VBUS ≥ VSUP
GND Disconnected, VGND = VSUP, VBUS at -18 V
IBUS
IBUS-PAS-REC
IBUS-NOGND
–
0.0
-1.0
1.0
3.0
–
10
20
1.0
A
mA
LIN Receiver
Receiver Threshold Dominant
Receiver Threshold Recessive
Receiver Threshold Center
Receiver Threshold Hysteresis
VBUS_DOM
VBUS_REC
VBUS_CNT
VBUS_HYS
–
0.6
0.475
–
0.5
–
0.4
–
0.525
0.175
VSUP
HIGH SIDE OUTPUT HS1
Switch On Resistance
TJ = 25 °C, ILOAD = 1.0 A
RDS(ON)-HS1
–185
225
m
Ω
Over-current Shutdown
IHSOC1
6.0
–
9.0
A
Over-current Shutdown blanking time(14)
tOCB
–4-8
–
s
Current to Voltage Ratio(15)
VADOUT [V] / IHS [A], (measured and trimmed IHS = 2.0 A)
CRRATIOHS1
0.84
1.2
1.56
V/A
High Side Switching Frequency(14)
fPWMHS
––
25
kHz
High Side Freewheeling Diode Forward Voltage
TJ = 25 °C, ILOAD = 1.0 A
VHSF
–0.9
–
V
Leakage Current
ILeakHS
–<0.2
10
A
Notes
14.
This parameter is guaranteed by process monitoring but is not production tested.
15.
This parameter is guaranteed only if correct trimming was applied.
Table 3. Static Electrical Characteristics (continued)
All characteristics are for the analog chip only. Refer to the 68HC908EY16 datasheet for characteristics of the microcontroller
chip. Characteristics noted under conditions 9.0 V ≤ VSUP ≤ 16 V, -40 °C ≤ TJ ≤ 125 °C, unless otherwise noted. Typical values
noted reflect the approximate parameter mean at TA = 25 °C under nominal conditions, unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
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