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参数资料
| 型号： | MMBT6427LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/25页 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | MMBT6427LT3 |
2–374
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Darlington Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
40
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
40
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
12
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
500
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)
TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
225
1.8
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
556
°C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
300
2.4
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
DEVICE MARKING
MMBT6427LT1 = 1V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, VBE = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
40
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
12
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 25 Vdc, IB = 0)
ICES
—
1.0
Adc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
50
nAdc
1. FR– 5 = 1.0
0.75 0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MMBT6427LT1
Motorola Preferred Device
1
2
3
CASE 318 – 08, STYLE 6
SOT– 23 (TO – 236AB)
COLLECTOR 3
BASE
1
EMITTER 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT918D87Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT918LT3 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA13LT3 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA20LT3 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA56D87Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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