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参数资料
| 型号： | MMBT6427LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 12/25页 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | MMBT6427LT3 |
MMBT6427LT1
2–375
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 500 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
10,000
20,000
14,000
100,000
200,000
140,000
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 50 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
(IC = 500 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
VCE(sat)(3)
—
1.2
1.5
Vdc
Base – Emitter Saturation Voltage
(IC = 500 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
VBE(sat)
—
2.0
Vdc
Base – Emitter On Voltage
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
VBE(on)
—
1.75
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
7.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
15
pF
Current Gain — High Frequency
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
|hfe|
1.3
—
Vdc
Noise Figure
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 100 k, f = 1.0 kHz)
NF
—
10
dB
3. Pulse Test: Pulse Width = 300
ms, Duty Cycle = 2.0%.
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
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PDF描述 |
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| MMBTA13LT3 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA20LT3 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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