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参数资料
| 型号： | MMBT6427LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 20/25页 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | MMBT6427LT3 |
MMBT6427LT1
2–377
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Figure 6. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 7. High Frequency Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (A)
2.0
200 k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
TJ = 25°C
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF
)
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|h
fe
|,SMALL–SIGNAL
CURRENT
GAIN
h
FE
,D
C
U
RRENT
G
AIN
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
Cibo
Cobo
0.5
1.0
2.0
0.5
10
20
50
100 200
500
VCE = 5.0 V
f = 100 MHz
TJ = 25°C
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
7.0
10
20
30
50 70
100
200 300
500
TJ = 125°C
25
°C
–55
°C
VCE = 5.0 V
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
TJ = 25°C
IC = 10 mA
50 mA
250 mA
500 mA
Figure 10. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.6
5.0
– 1.0
V
,V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0
10
20
30
50 70 100 200 300
500
VBE(sat) @ IC/IB = 1000
R
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = 5.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 1000
– 2.0
– 3.0
– 4.0
– 5.0
– 6.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200 300
500
25
°C TO 125°C
–55
°C TO 25°C
*RqVC FOR VCE(sat)
qVB FOR VBE
25
°C TO 125°C
–55
°C TO 25°C
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/3.0
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PDF描述 |
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