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参数资料
| 型号： | MMFT3055VT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| 封装： | CASE 318E-04, 4 PIN |
| 文件页数： | 14/17页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | MMFT3055VT3 |
MMFT3055V
http://onsemi.com
633
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAIN-T
O-SOURCE
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
10
100
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
25
50
75
100
125
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
ID = 1.7 A
1.0
150
Figure 13. Thermal Response
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
0.1
10
0.01
0
30
10
1
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
20
175
40
50
60
dc
100 ms
500 ms
1 s
10 ms
t, TIME (s)
Rthja(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
0.1
0.01
0.001
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
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0.0001
1
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