参数资料
型号: MMFT3055VT3
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
封装: CASE 318E-04, 4 PIN
文件页数: 6/17页
文件大小: 193K
代理商: MMFT3055VT3
http://onsemi.com
1411
CASE OUTLINE AND PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
1.80
2.20
0.071
0.087
INCHES
B
1.15
1.35
0.045
0.053
C
0.80
1.10
0.031
0.043
D
0.10
0.30
0.004
0.012
G
0.65 BSC
0.026 BSC
H
---
0.10
---
0.004
J
0.10
0.25
0.004
0.010
K
0.10
0.30
0.004
0.012
N
0.20 REF
0.008 REF
S
2.00
2.20
0.079
0.087
V
0.30
0.40
0.012
0.016
B
0.2 (0.008) MM
12
3
A
G
V
S
H
C
N
J
K
65
4
–B–
D 6 PL
SC–88 (SOT–363)
CASE 419B–01
ISSUE G
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
–T– SEATING
PLANE
Z
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.235
0.250
5.97
6.35
B
0.250
0.265
6.35
6.73
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.027
0.035
0.69
0.88
E
0.033
0.040
0.84
1.01
F
0.037
0.047
0.94
1.19
G
0.180 BSC
4.58 BSC
H
0.034
0.040
0.87
1.01
J
0.018
0.023
0.46
0.58
K
0.102
0.114
2.60
2.89
L
0.090 BSC
2.29 BSC
R
0.175
0.215
4.45
5.46
S
0.020
0.050
0.51
1.27
U
0.020
---
0.51
---
V
0.030
0.050
0.77
1.27
Z
0.138
---
3.51
---
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
12
3
4
DPAK
CASE 369A–13
ISSUE AA
相关PDF资料
PDF描述
MMFT6661T1 500 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT6661T3 500 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT960T3 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMPQ2222R1 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2222R2 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MMFT5P03HD 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS MEDIUM POWER FET 5.2 AMPERES 30 VOLTS
MMFT5P03HDT1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
MMFT5P03HDT3 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR
MMFT6N03HD 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER 6.0 AMPERES 30 VOLTS
MMFT960T1 功能描述:MOSFET 60V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube