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参数资料
| 型号： | MP6K31TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 60V 2A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MP6K31DKR |
4V Drive Nch + Nch MOSFET
MP6K31
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
MPT6
(Dual)
? Features
1) Built-in G-S Protection Diode.
(6)
(5)
(4)
2) Small Surface Mount Package (MPT6).
3) Low voltage drive. (4V)
(1)
(2)
(3)
? Application
Switching
? Packaging specifications
? Inner circuit
Package
Taping
(6)
(5)
(4)
(6)
(5)
(4)
Type
Code
TR
MP6K31
Basic ordering unit (pieces)
1000
○
(1)
(2)
(3)
(1) Tr1 Source
? Absolute maximum ratings (Ta = 25 ? C)
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Drain
<It is the same ratings for Tr1 and Tr2.>
Parameter
Symbol
Limits
Unit
(1)
(2) (3)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(4) Tr2 Source
(5) Tr2 Gate
(6) Tr1 Drain
Drain-source voltage
Gate-source voltage
V DSS
V GSS
60
? 20
V
V
Drain current
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I s
I sp
*1
*1
? 2
? 8
1.2
8
A
A
A
A
Power dissipation
P D
*2
2.0 W / TOTAL
1.4 W / ELEMENT
Channel temperature
Range of storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55 to +150
? C
? C
*1 Pw ? 10 ? s, Duty cycle ? 1%
*2 Mounted on a ceramic board.
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/6
2010.09 - Rev.A
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