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参数资料
| 型号： | MP6K31TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 60V 2A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MP6K31DKR |
MP6K31
1000
100
Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage
T a =25 ℃
f=1MHz
V GS =0V
C iss
10
Data Sheet
Maximum Safe Operating Area
Operation in this area
is limited by R DS(on)
( V GS = 10V )
P W = 100 μ s
P W = 1ms
1
C oss
10
C rss
0.1
P W = 10ms
DC Operation
T a =25 ℃
Single Pulse (1Unit)
Mounted on a ceramic board.
1
0.01
（ 30mm x 30mm x 0.8mm)
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
Drain-Source Voltage : V DS [V]
Normalized Transient Thermal Resistance v.s. Pulse Width
T a =25 ℃
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
（ 30mm × 30mm × 0.8mm)
Drain-Source Voltage : V DS [ V ]
1
0.1
0.01
0.001
Rth (ch-a) =89.3 ℃ /W (1Unit)
Rth (ch-a) (t)=r(t) × Rth (ch-a)
0.0001
0.01
1
100
Pulse width ： Pw （ s ）
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.09 - Rev.A
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