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参数资料
| 型号： | MP6K31TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 60V 2A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MP6K31DKR |
MP6K31
10
Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
V DS =10V
pulsed
1
V DS =10V
pulsed
Typical Transfer Characteristics
Data Sheet
1
T a =-25 ℃
T a =25 ℃
T a =75 ℃
T a =125 ℃
0.1
T a =125 ℃
T a =75 ℃
T a =25 ℃
T a =-25 ℃
0.1
0.01
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Drain Current : I D [A]
Source Current vs. Source-Drain Voltage
Gate-Source Voltage : V GS [V]
Static Drain-Source On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
10
V GS =0V
pulsed
600
T a =25 ℃
pulsed
500
I D =1.0A
1
T a =125 ℃
400
I D =2.0A
T a =75 ℃
0.1
0.01
T a =25 ℃
T a =-25 ℃
300
200
100
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
2
4
6
8
10
Source-Drain Voltage : V SD [V]
Switching Characteristics
Gate-Source Voltage : V GS [V]
Dynamic Input Characteristics
1000
t f
V DD ≒ 30V
V GS =10V
R G =10 ?
T a =25 ℃
Pulsed
10
8
T a =25 ℃
V DD =30V
I D =2A
Pulsed
100
t d(off)
6
4
10
1
t d(on)
t r
2
0
0.01
0.1
1
10
0
1
2 3
4
5
Drain Current : I D [A]
Total Gate Charge : Qg [nC]
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.09 - Rev.A
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