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参数资料
| 型号： | MP6K31TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 60V 2A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MP6K31DKR |
MP6K31
Data Sheet
? Measurement circuits
Pulse width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
50%
10%
90%
50%
V DS
D.U.T.
10%
10%
R G
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Fig.1-1 Switching time measurement circuit
Fig.1-2 Switching waveforms
V G
I G(Const.)
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DS
V GS
Q gs
Q g
Q gd
V DD
Charge
Fig.2-1 Gate charge measurement circuit
www.rohm.com
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
6/6
2010.09 - Rev.A
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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