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参数资料
| 型号： | MP6K31TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 60V 2A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MP6K31DKR |
MP6K31
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C)
<It is the same characteristics for Tr1 and Tr2.>
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 10
Unit
? A
Conditions
V GS = ? 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
60
-
-
V
I D =1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
I DSS
V GS (th)
-
1.0
-
-
1
2.5
? A
V
V DS =60V, V GS =0V
V DS =10V, I D =1mA
R DS (on)
Static drain-source on-state
resistance
*
-
-
-
210
240
255
290
330
350
I D =2A, V GS =10V
m ? I D =2A, V GS =4.5V
I D =2A, V GS =4.0V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
Q g *
Q gs *
Q gd *
1.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
28
12
6
10
20
9
2.0
0.8
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I D =2A, V DS =10V
V DS =10V
V GS =0V
f=1MHz
I D =1A, V DD 30V
V GS =10V
R L =30 ?
R G =10 ?
I D =2A, V DD 30V
V GS =5V
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25 ? C)
<It is the same characteristics for Tr1 and Tr2.>
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I s =1.2A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.09 - Rev.A
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