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参数资料
| 型号： | MP6K31TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 60V 2A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MP6K31DKR |
MP6K31
? Electrical characteristic curves (Ta = 25 ? C)
Typical Output Characteristics ( Ⅰ )
Typical Output Characteristics ( Ⅱ )
Data Sheet
2
V GS =10.0V
V GS =4.5V
V GS =4.0V
V GS =3.0V
2
V GS =10.0V
V GS =4.5V
V GS =4.0V
T a =25 ℃
pulsed
V GS =3.0V
1
V GS =2.8V
1
V GS =2.8V
V GS =2.5V
V GS =2.5V
0
T a =25 ℃
pulsed
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
Drain-Source Voltage : V DS [V]
Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current
Drain-Source Voltage : V DS [V]
Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current
10000
T a =25 ℃
pulsed
10000
V GS =10V
pulsed
T a =125 ℃
T a =75 ℃
T a =25 ℃
T a =-25 ℃
1000
100
10
V GS =4.0V
V GS =4.5V
V GS =10V
1000
100
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
Drain Current : I D [A]
Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current
Drain Current : I D [A]
Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current
10000
V GS =4.5V
pulsed
T a =125 ℃
T a =75 ℃
T a =25 ℃
T a =-25 ℃
10000
V GS =4V
pulsed
T a =125 ℃
T a =75 ℃
T a =25 ℃
T a =-25 ℃
1000
100
10
1000
100
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
Drain Current : I D [A]
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.09 - Rev.A
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