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参数资料
| 型号： | MPC5200VR466BR2 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 466 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA272 |
| 封装： | 27 X 27 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, BGA-272 |
| 文件页数： | 14/80页 |
| 文件大小： | 788K |
| 代理商： | MPC5200VR466BR2 |
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Electrical and Thermal Characteristics
MPC5200B Data Sheet, Rev. 0.6
Freescale Semiconductor
21
Figure 6. Timing Diagram—Standard SDRAM Memory Write Timing
3.3.5.3
Memory Interface Timing-DDR SDRAM Read Command
The SDRAM Memory Controller uses a 1/4 period delayed MDQS strobe to capture the MDQ data. The
1/4 period delay value is calculated automatically by hardware.
Table 19. Standard SDRAM Write Timing
Sym
Description
Min
Max
Units
SpecID
tmem_clk
MEM_CLK period
7.5
—
ns
A5.8
tvalid
Control Signals, Address and MBA Valid
after rising edge of MEM_CLK
—tmem_clk*0.5+0.4
ns
A5.9
thold
Control Signals, Address and MBA Hold after
rising edge of MEM_CLK
tmem_clk*0.5
—
ns
A5.10
DMvalid
DQM valid after rising edge of MEM_CLK
—
tmem_clk*0.25+0.4
ns
A5.11
DMhold
DQM hold after rising edge of Mem_clk
tmem_clk*0.25-0.7
—
ns
A5.12
datavalid
MDQ valid after rising edge of MEM_CLK
—
tmem_clk*0.75+0.4
ns
A5.13
datahold
MDQ hold after rising edge of MEM_CLK
tmem_clk*0.75-0.7
—
ns
A5.14
MEM_CLK
Control Signals
MDQ (Data)
MA (Address)
NOTE: Control Signals are composed of RAS, CAS, MEM_WE, MEM_CS, MEM_CS1 and CLK_EN
Active
NOP
WRITE
NOP
thold
Row
Column
MBA (Bank Selects)
datahold
datavalid
tvalid
thold
tvalid
thold
tvalid
DQM (Data Mask)
DMvalid
DMhold
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPC8250ACVVIHBX | 32-BIT, 200 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA480 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MPC52100J | 制造商:TE Connectivity 功能描述:RESISTOR 5W 10R |
| MPC52100J | 制造商:TE Connectivity 功能描述:RESISTOR THICK FILM 10OHM 5W 5% 制造商:TE Connectivity 功能描述:RESISTOR, THICK FILM, 10 OHM, 5W, 5% |
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