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参数资料
| 型号： | MR25H40CDF |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 11/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN |
| 标准包装： | 490 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 40MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP，小标志 (5x6) |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1040 |
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Table 3.2 Operating Conditions
MR25H40
Parameter
Power supply voltage
Input high voltage
Input low voltage
Temperature under bias
MR25H40C (Industrial)
Temperature under bias
MR25H40M (AEC-Q100 Grade 1) 1
Symbol
V DD
V IH
V IL
T A
T A
Min
3.0
2.2
-0.5
-40
-40
Typical
-
-
-
-
Max
3.6
V DD + 0.3
0.8
85
125
Unit
V
V
V
°C
°C
AEC-Q100 Grade 1 temperature profile assumes 10 percent duty cycle at maximum temperature (2 years
1
out of 20-year life.)
Table 3.3 DC Characteristics
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Output low voltage
(I OL = +4 mA)
(I OL = +100 μA)
Output high voltage
(I OH = -4 mA)
(I OH = -100 μA)
Symbol
I LI
I LO
V OL
V OH
Min
-
-
-
2.4
V DD - 0.2
Typical
-
-
-
-
Max
±1
±1
0.4
V SS + 0.2v
-
Unit
μA
μA
V
V
Table 3.4 Power Supply Characteristics
Parameter
Active Read Current (@ 1 MHz)
Active Read Current (@ 40 MHz)
Active Write Current (@ 1 MHz)
Active Write Current (@ 40 MHz)
AC Standby Current (CS High)
CMOS Standby Current (CS High)
Standby Sleep Mode Current (CS High)
Symbol
I DDR
I DDR
I DDW
I DDW
I SB1
I SB2
I ZZ
Typical
5.0
12
9.0
28
250
90
15
Max
11
17
25
42
400
180
40
Unit
mA
mA
mA
mA
μA
μA
μA
Everspin Technologies ? 2011
11
MR25H40 Rev. 5, 11/2011
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MR25H40MDC | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H40MDCR | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H40MDF | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H40MDFR | 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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