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参数资料
| 型号： | MR25H40CDF |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 9/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN |
| 标准包装： | 490 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 40MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP，小标志 (5x6) |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1040 |
SPI COMMUNICATIONS PROTOCOL
MR25H40
Enter Sleep Mode (SLEEP)
The Enter Sleep Mode (SLEEP) command turns off all MRAM power regulators in order to reduce the overall
chip standby power to 15 μA typical. The SLEEP command is entered by driving CS low, sending the com-
mand code, and then driving CS high. The standby current is achieved after time, t DP . If power is removed
when the part is in sleep mode, upon power restoration, the part enters normal standby. The only valid
command following SLEEP mode entry is a WAKE command.
Figure 2.7 SLEEP
CS
t DP
0
1
2
3
4
5
6
7
Mode 3
SCK
Instruction (B9h)
Mode 0
SI
1
0
1
1
1
0
0
1
Active Current
Standby Current
Sleep Mode Current
SO
Exit Sleep Mode (WAKE)
The Exit Sleep Mode (WAKE) command turns on internal MRAM power regulators to allow normal operation.
The WAKE command is entered by driving CS low, sending the command code, and then driving CS high.
The memory returns to standby mode after t RDP . The CS pin must remain high until the t RDP period is over.
WAKE must be executed after sleep mode entry and prior to any other command.
Figure 2.8 WAKE
CS
t RDP
0
1
2
3
4
5
6
7
Mode 3
SCK
Instruction (ABh)
Mode 0
SI
1
0
1
0
1
0
1
1
SO
Sleep Mode Current
Standby Current
Everspin Technologies ? 2011
9
MR25H40 Rev. 5, 11/2011
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PDF描述 |
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参数描述 |
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