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参数资料
| 型号： | MRF282SR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 505K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2GHz |
| 增益： | 11.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 75mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-200S |
| 供应商设备封装： | NI-200S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF282SR1 MRF282ZR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 5. Series Equivalent Input and Output Impedence
f
MHz
Zin
?
ZOL*
?
1800
1860
1900
1960
2.1 + j1.0
2.0 + j1.2
2.05 + j1.15
1.9 + j1.4
3.8 -- j0.15
3.77 -- j0.13
3.75 -- j0.1
3.65 + j0.1
Zin
= Complex conjugate of source impedance.
ZOL* = Complex conjugate of the optimum load
impedance at given output power, voltage, IMD,
bias current and frequency.
VDD
=26V,IDQ
=75mA,Pout
= 10 W (PEP)
ZOL*
Zin
Zo
=5?
f = 1800 MHz
2000 1.85 + j1.6 3.55 + j0.2
Zin
ZOL*
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
f = 1800 MHz
f = 2000 MHz
f = 2000 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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