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参数资料
| 型号： | MRF282SR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/13页 |
| 文件大小： | 505K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2GHz |
| 增益： | 11.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 75mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-200S |
| 供应商设备封装： | NI-200S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF282SR1 MRF282ZR1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
NOTES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF372R3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860C3 |
| MRF373ALSR5 | MOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360S |
| MRF374A | IC MOSFET RF N-CHAN NI-650 |
| MRF377HR3 | MOSFET RF N-CHAN 32V 45W NI-860C |
| MRF5P20180HR6 | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF282Z | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |
| MRF282ZR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF PWR FET SOE PKG RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF284 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF284C | 制造商:Motorola Inc 功能描述:284C |
| MRF284LR1 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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