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参数资料
| 型号： | MRF377HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 1271K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 32V 45W NI-860C |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 17A |
| 电流 - 测试： | 2A |
| 功率 - 输出： | 45W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF377HR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL NARROWBAND CHARACTERISTICS
2200 mA
100
16
19
10
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 2. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=32Vdc
IDQ
= 2000 mA
f1 = 859.95 MHz, f2 = 860.05 MHz
18.5
18
17.5
17
16.5
100
-- 7 0
-- 2 0
10
IDQ
= 1400 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 3. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
VDD
=32Vdc
f1 = 859.95 MHz, f2 = 860.05 MHz
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
1600 mA
1800 mA
2000 mA
100
-- 8 0
-- 2 0
10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
VDD
=32Vdc
IDQ
= 2000 mA
f1 = 859.95 MHz, f2 = 860.05 MHz
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
5th Order
3rd Order
ηD
100
5
45
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Two--Tone Drain Efficiency versus
Output Power
VDD
=32Vdc
IDQ
= 2000 mA
f1 = 859.95 MHz, f2 = 860.05 MHz
40
35
30
25
20
15
10
ηD
100
12
19
10
-- 8 0
60
G
18 40ps
14 --40
IMD
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Power Gain, Efficiency and IMD
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
VDD
=32Vdc
15 --20IDQ
= 2000 mA
f1 = 859.95 MHz, f2 = 860.05 MHz
17 20
16 0
13 --60
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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