参数资料
型号: MRF377HR3
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 2/14页
文件大小: 1271K
描述: MOSFET RF N-CHAN 32V 45W NI-860C
产品变化通告: RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装: 250
晶体管类型: LDMOS
频率: 860MHz
增益: 18.2dB
电压 - 测试: 32V
额定电流: 17A
电流 - 测试: 2A
功率 - 输出: 45W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-860C3
供应商设备封装: NI-860C3
包装: 带卷 (TR)
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF377HR3
TYPICAL ATSC 8VSB BROADBAND CHARACTERISTICS
15 30ηD
900
8
18
420
-- 4 5
45
17 40Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Single--Channel ATSC 8VSB
Broadband Performance
G
ps
, POWER GAIN (dB)
14 25
13 --15VDD
=32Vdc
Pout
=80W(Avg.)
12 --20IDQ
= 2000 mA
ATSC 8VSB
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO
16 35
11
-- 2 5
10
-- 3 0
9
-- 3 5
480 540 600 660 720 780 840
ACPR
100
16
19
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 15. Single--Channel ATSC 8VSB Broadband
Performance Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dBc)
VDD
=32Vdc
IDQ
= 2000 mA
ATSC 8VSB
470 MHz
660 MHz
560 MHz
860 MHz
760 MHz
18.5
18
17.5
17
16.5
10
100
0
40
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 16. Single--Channel ATSC 8VSB Broadband
Performance Drain Efficiency versus Output Power
470 MHz
VDD
=32Vdc
IDQ
= 2000 mA
ATSC 8VSB
660 MHz
560 MHz
860 MHz
760 MHz
35
30
25
20
15
10
5
10
100
-- 5 0
-- 2 5
10
860 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 17. Single--Channel ATSC 8VSB Broadband Performance
Adjacent Channel Power Ratio versus Output Power
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
VDD
=32Vdc
IDQ
= 2000 mA
ATSC 8VSB
560 MHz
760 MHz
660 MHz
470 MHz
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
-- 4 5
IMRU
4.0
--100
-- 1 0
--0.8 1.6 2.4 3.20
IMRL
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 18. ATSC 8VSB Spectrum
Reference
Point
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
0.8
-- 4 . 0 -- 3 . 2 -- 2 . 4 -- 1 . 6
3.25 MHz
Offset
3.25 MHz
Offset
(dB)
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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