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参数资料
| 型号： | MRF377HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 1271K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 32V 45W NI-860C |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 17A |
| 电流 - 测试： | 2A |
| 功率 - 输出： | 45W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF377HR3
Figure 8. 470--860 MHz Broadband Test Circuit Component Layout
C27
C29
C30
C26
C25
C23
C7
L5
Balun 2
VDD
C18
C34
C17
VDD
C31
C32
L7
L6
C28
C11 C14C13
C12
C15
L1
C22
Balun 1
VGG
B2
C21
L2
VGG
C24
C19
C20
R2
C10
L4
C1
C4
C5
C2
C6
C3
B1
R1
C9
L3
C33
C8
L8
DS1047 Rev 4
DS1047 Rev 4
C16
Multilayer Balun Mounting Detail
Topside View
Upside Down View
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor signature/-
logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have no impact
on form, fit or function of the current product.
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5P20180HR6 | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 |
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| MRF5P21180HR6 | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF377HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 250W 860MHZ 32V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF377R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF377R5 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MRF3866 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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