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参数资料
| 型号： | MRF5S21100HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 641K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.05A |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF5S21100HR3 MRF5S21100HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
42
48
56
34
P3dB = 51.88 dBm (154.17 W)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1050 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1msec(off)
f = 2140 MHz
Actual
Ideal
P1dB = 51.18 dBm (131.22 W)
55
53
52
50
49
35 3936 37 38 4140
54
51
5
15
2040
2060 2080 2100 2120 2140 2160 2180 2200 2220 2240
-- 4 5
40
10 --20IRL
14 35Gps
6--40ACPR
8--30IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2--Carrier W--CDMA Broadband Performance
G
ps
, POWER GAIN (dB)
12 25ηD
VDD
=28Vdc,Pout
=23W(Avg.),IDQ
= 1050 mA
11 20
2--Carrier W--CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
9--25
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-- 5 0
-- 1 0
-- 2 0
7--35-- 3 0
-- 4 0
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
0
13 30
100
11
16
1
IDQ
= 1400 mA
650 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=28Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
1050 mA
850 mA
1250 mA
15
14
13
12
10
100
-- 5 5
-- 1 5
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
IMD, THIRD ORDER
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
VDD
=28Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
IDQ
= 1400 mA
650 mA
1050 mA
850 mA
1250 mA
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
-- 4 5
-- 5 0
10
10
-- 6 0
-- 2 0
1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
VDD
=28Vdc,Pout
= 100 W (PEP), IDQ
= 1050 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
5th Order
3rd Order
0.1
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
-- 4 5
-- 5 0
-- 5 5
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
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