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参数资料
| 型号： | MRF5S21100HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 641K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.05A |
| 功率 - 输出： | 23W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S21100HR3 MRF5S21100HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
40
1
-- 5 5
-- 1 5
15 --40Gps
ACPR
IM3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. W--CDMA
Figure 8. 2--Carrier W--CDMA ACPR, IM3, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1050 mA35 --20
ηD
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
30 --252x W--CDMA, 10 MHz @ 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
25 --30
20 --35
10 --45
5--50
10
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
220
109
100
108
107
106
120 140 160 180 200
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (_C)
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
MTTF FACTOR (HOURS x AMPS
2
)
W--CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W--CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single Carrier Test Signal
PROBABILITY (%)
10
1
0.1
0.01
0.001
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
-- 11 0
--120
-- 7 0
-- 2 0
-- 8 0
-- 6 0
-- 5 0
(dB)
-- 9 0
--100
-- 4 0
-- 3 0
3.84 MHz
Channel BW
-- I M 3 i n
3.84 MHz BW
+IM3 in
3.84 MHz BW
--ACPR in
3.84 MHz BW
+ACPR in
3.84 MHz BW
--25 2551510
20
0
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz Channel
Bandwidth @
±5 MHz Offset. IM3 Measured in
3.84 MHz Bandwidth @
±10 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
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PDF描述 |
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