- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录92 > MRF6P3300HR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6P3300HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/24页 |
| 文件大小： | 993K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 20.2dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 320W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
21
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 53. 470-860 MHz Broadband Series Equivalent Source and Load Impedance
f = 470 MHz
f = 860 MHz
Zload
Zo
= 25
Ω
Zsource
f = 470 MHz
f = 860 MHz
Zo
= 25
Ω
8.86 - j2.87
560
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
470
510
8.77 - j5.43
8.74 - j4.17
6.09 - j4.37
6.39 - j1.65
6.69 - j2.45
VDD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA, P
out
= 270 W PEP
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
-
-+
+
610
660 12.41 - j3.53
10.55 - j2.45 7.36 - j1.95
7.73 - j1.75
6.81 - j10.41
710
760
13.11 - j6.04
11.29 - j10.15
7.95 - j1.20
8.18 - j1.36
7.81 - j1.60
860 3.73 - j9.66 6.94 - j2.49
810
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6P9220HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 |
| MRF6S18060NBR1 | MOSFET RF N-CH 26V 60W TO272-4 |
| MRF6S18100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 100W TO2704 |
| MRF6S18140HSR5 | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880S |
| MRF6S19060GNR1 | MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6P9220HR3 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6P9220HR3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6P9220HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6P9220HR5 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6S18060MBR1 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。