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参数资料
| 型号： | MRF6P3300HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/24页 |
| 文件大小： | 993K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 20.2dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 320W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
17
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CW BROADBAND CHARACTERISTICS
Figure 41. CW Power Gain versus
Output Power
16
26
5
f = 560 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
24
20
100 500
G
ps
, POWER GAIN (dB)
22
18
10
660 MHz
VDD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
760 MHz
860 MHz
470 MHz
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 42. CW Drain Efficiency versus
Output Power
0
70
3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
60
40
30
100 500
50
20
10
VDD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
10
f = 660 MHz
560 MHz
760 MHz
860 MHz
470 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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