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参数资料
| 型号： | MRF6S19120HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 757K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 15dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 19W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF6S19120HR3 MRF6S19120HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
-- 2 6
-- 1 8
-- 2 0
-- 2 2
-- 2 4
2020 2030
2040
1940
1950
IRL
Gps
ACPR
1960
1970
1980
1990
2000
2010
14
15.6
15.4
-- 5 5
32
30
28
26
-- 4 0
-- 4 5
-- 5 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
15.2
15
14.8
14.6
14.4
14.2
-- 3 5
ALT1
-- 1 6
-- 1 4
-- 1 2
-- 1 0
VDD=28Vdc,Pout
=32W(Avg.),IDQ
= 1000 mA
Single--Carrier N--CDMA, 1.2288 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
-- 2 6
-- 1 8
-- 2 0
-- 2 2
-- 2 4
2020 2030
2040
1940
1950
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2--Carrier N--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 19 Watts Avg.
1960
1970
1980
1990
2000
2010
14
15.6
15.4
-- 6 5
26
24
22
20
-- 5 0
-- 5 5
-- 6 0
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2--Carrier N--CDMA Broadband Performance @ Pout
= 32 Watts Avg.
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
1 300100
12
17
0.6
IDQ
= 1500 mA
1250 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
15
1000 mA
13
10
-- 4 0
-- 2 0
0.6 3001
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
-- 2 5
-- 3 0
100
-- 5 5
-- 4 5
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
15.2
15
14.8
14.6
14.4
14.2
-- 4 5
16
14
750 mA
500 mA
IDQ
= 500 mA
750 mA
1500 mA
VDD
=28Vdc
f1 = 1988.75 MHz, f2 = 1991.25 MHz
Two--Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
ALT1
-- 1 6
-- 1 4
-- 1 2
-- 1 0
VDD=28Vdc,Pout
=19W(Avg.),IDQ
= 1000 mA
Single--Carrier N--CDMA, 1.2288 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 9.8 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
-- 3 5
-- 5 0
1250 mA
1000 mA
VDD
=28Vdc
f1 = 1988.75 MHz, f2 = 1991.25 MHz
Two--Tone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19140HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880S |
| MRF6S19200HSR5 | MOSFET RF N-CH 56W 28V NI780S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6S19140HR3_07 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S19140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 28V 29W LDMOS NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S19140HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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