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参数资料
| 型号： | MRF6S19120HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 757K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 15dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 19W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19120HR3 MRF6S19120HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
-- 6 0
0
0.1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
VDD
=28Vdc,Pout
= 100 W (PEP), IDQ
= 1000 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1990 MHz
5th Order
3rd Order
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
38 39 40 41 42 43 44 45
46
63
P3dB = 52.64 dBm (183.69 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1000 mA
Pulsed CW, 12
μsec(on), 1% Duty Cycle
f = 1990 MHz
62
52
47
33 3534 36
Actual
Ideal
P1dB = 51.9 dBm (154.32 W)
57
50
56
37
32
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
Figure 9. Single--Carrier N--CDMA ACPR, ALT1, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
-- 1 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
40
-- 2 0
ACPR
-- 3 0
30
-- 4 0
-- 5 0
10
-- 6 0
1 10 150100
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
100
11
18
1
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
=28Vdc
IDQ
= 1000 mA
f = 1990 MHz
10
16
15
14
13
12
50
40
30
20
10
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
TC
=25_C
25_C
ηD
-- 3 0_C
85_C
Gps
85_C
TC
=--30_C
-- 3 0_C
25_C
85_C
25_C
60
85_C
61
60
59
58
55
54
53
51
49
48
ALT1
50
0
-- 7 0
-- 8 0
25_C
VDD=28Vdc,IDQ
= 1000 mA
f = 1990 MHz, Single--Carrier N--CDMA
1.2288 MHz Channel Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
-- 3 0_C
25_C
17
ηD
Gps
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=32V
200
6
16
0 15050
100
10
8
12
14
IDQ
= 1000 mA
f = 1990 MHz
24 V
28 V
15
13
11
9
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19140HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 29W NI-880S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6S19140HR3_07 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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| MRF6S19140HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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