- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录93 > MRF6V2010GNR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6V2010GNR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/21页 |
| 文件大小： | 1668K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NBR1
19
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6V2150NBR5 | MOSFET RF N-CH 50V TO272-4 |
| MRF6V2300NR5 | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
| MRF6V3090NR5 | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4 |
| MRF6V4300NR5 | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
| MRF6VP11KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V2010N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF6V2010N_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6V2010NB | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF6V2010NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 10W TO272-2N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V2010NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 10W Latrl N-Ch. Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。