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参数资料
| 型号： | MRF6V2010GNR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/21页 |
| 文件大小： | 1668K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
0.1
100
02010
30
40
VDS, DRAIN--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Capacitance versus Drain--Source Voltage
C, CAPACITANCE (pF)
Ciss
0.1
100
1
TC
=25°C
10
10
VDS, DRAIN--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. DC Safe Operating Area
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
20 12040
60
80 100
0.35
0
DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. DC Drain Current versus Drain Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
18
25
IIDQDQ
=45mA=45mA
0.1
23
22
21
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 6. CW Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=50Vdc
f1 = 220 MHz
10
1
100
24
VGS
=3V
Coss
Crss
2.75 V
2.63 V
2.5 V
2.25 V
20
15 mA
12010
38 mA38 mA
-- 5 5
-- 2 0
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
10 20
Figure 7. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
IMD, THIRD ORDER INTERMODULATION
DISTORTION (dBc)
VDD
=50Vdc
f1 = 220 MHz, f2 = 220.1 MHz
Two--Tone Measurements
100 kHz Tone Spacing
-- 4 5
-- 5 0
23
37
47
13 1715
45
43
41
39
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 8. CW Output Power versus Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
19 21
P3dB = 40.87 dBm (12.2 W)
Actual
Ideal
P1dB = 40.43 dBm (11.04 W)
VDD
=50Vdc,IDQ
=30mA
f = 220 MHz
1
200
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
19
30 mA
23 mA
IDQ
=60mA
15 mA
23 mA
38 mA
45 mA
30 mA
Measured with
±30 mV(rms)ac @ 1 MHz
VGS
=0Vdc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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