参数资料
型号: MRF6V2010GNR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 4/21页
文件大小: 1668K
描述: MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS
功率 - 输出: 10W
封装/外壳: TO-270AA
供应商设备封装: TO-270-2
包装: 带卷 (TR)
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NBR1
50 OHM TYPICAL CHARACTERISTICS
Table 10. Common Source S--Parameters
(VDD
=50V,IDQ
=30mA,TA
=25°C, 50 Ohm System)
f
MHz
S11
S21
S12
S22
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
10
0.997
-- 5 . 0
11.520
175.6
0.000790
84.6
0.960
-- 0 . 8
20
0.994
-- 9 . 5
11.419
171.6
0.00157
84.3
0.962
-- 3 . 5
30
0.992
--14.5
11.356
167.9
0.00232
78.1
0.963
-- 5 . 5
40
0.987
--19.3
11.278
164.1
0.00307
74.6
0.964
-- 7 . 7
50
0.981
--24.0
11.187
160.1
0.00380
71.0
0.964
-- 9 . 9
60
0.974
--28.6
11.042
156.1
0.00449
67.4
0.963
--12.1
70
0.965
--33.0
10.848
152.1
0.00513
63.8
0.961
--14.2
80
0.955
--37.4
10.636
148.2
0.00574
60.4
0.958
--16.3
90
0.944
--41.6
10.405
144.5
0.00631
57.0
0.955
--18.4
100
0.933
--45.7
10.147
140.8
0.00683
53.8
0.951
--20.4
120
0.912
--53.3
9.603
134.2
0.00776
47.9
0.944
--24.2
140
0.892
--60.4
9.061
127.9
0.00851
42.4
0.936
--27.9
160
0.873
--66.7
8.516
122.2
0.00914
37.6
0.929
--31.3
180
0.856
--72.7
7.993
116.9
0.00967
32.9
0.923
--34.6
200
0.841
--78.1
7.497
112.1
0.0101
28.7
0.918
--37.9
220
0.828
--83.0
7.040
107.5
0.0104
24.9
0.914
--41.1
240
0.819
--87.5
6.612
103.3
0.0107
21.3
0.912
--44.2
260
0.810
--91.7
6.214
99.3
0.0109
18.0
0.909
--47.2
280
0.804
--95.5
5.845
95.7
0.0110
15.0
0.908
--50.2
300
0.799
--99.0
5.507
92.2
0.0112
11.9
0.907
--53.0
320
0.796
--102.2
5.192
88.8
0.0112
9.1
0.906
--55.9
340
0.794
--105.1
4.901
85.7
0.0113
6.5
0.906
--58.6
360
0.793
--107.8
4.630
82.8
0.0112
4.1
0.906
--61.4
380
0.793
--110.4
4.382
79.9
0.0112
2.0
0.906
--64.1
400
0.794
--112.7
4.152
77.2
0.0112
-- 0 . 3
0.906
--66.7
420
0.796
--114.9
3.937
74.6
0.0112
-- 2 . 5
0.907
--69.3
440
0.798
--116.9
3.733
72.2
0.0111
-- 4 . 4
0.907
--71.8
460
0.800
--118.8
3.547
69.8
0.0110
-- 6 . 5
0.908
--74.2
480
0.803
--120.5
3.372
67.6
0.0109
-- 8 . 5
0.908
--76.7
500
0.807
--122.2
3.213
65.4
0.0108
--10.0
0.909
--79.0
520
0.810
--123.8
3.061
63.3
0.0107
-- 11 . 9
0.910
--81.3
540
0.814
--125.4
2.919
61.2
0.0105
--13.5
0.911
--83.6
560
0.817
--126.8
2.784
59.3
0.0104
--14.9
0.912
--85.8
580
0.821
--128.1
2.661
57.5
0.0103
--16.6
0.914
--87.9
600
0.825
--129.3
2.545
55.7
0.0101
--18.1
0.915
--90.0
620
0.829
--130.5
2.436
53.9
0.00996
--19.6
0.917
--92.1
640
0.833
--131.6
2.334
52.2
0.00981
--21.0
0.918
--94.1
660
0.837
--132.7
2.237
50.5
0.00963
--22.4
0.920
--96.0
680
0.840
--133.8
2.144
48.9
0.00946
--23.7
0.921
--97.9
700
0.843
--134.8
2.058
47.3
0.00928
--25.0
0.923
--99.7
720
0.847
--135.8
1.977
45.8
0.00910
--26.1
0.924
--101.4
740
0.850
--136.8
1.900
44.4
0.00894
--27.3
0.926
--103.0
760
0.854
--137.8
1.828
43.0
0.00876
--28.6
0.928
--104.7
780
0.857
--138.7
1.760
41.6
0.00859
--29.7
0.930
--106.2
(continued)
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MRF6V2010NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 10W TO272-2N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V2010NBR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 10W Latrl N-Ch. Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray