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参数资料
| 型号： | MRF6VP11KHR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/13页 |
| 文件大小： | 806K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 130MHz |
| 增益： | 26dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 5mA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 1000W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6VP11KHR6 MRF6VP11KGSR5
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP121KHSR6 | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S |
| MRF6VP21KHR6 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| MRF6VP2600HR6 | MOSFET RF N-CH 600W NI1230 |
| MRF6VP3091NBR1 | MOSFET RF 50V 350MA TO272-4 |
| MRF6VP3450HR6 | MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP11KHR6_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6VP121KHR5 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:VHV6 1KW 50V NI1230H - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MOSFET RF N-CH 50V NI1230H 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
| MRF6VP121KHR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 1kW 50V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP121KHSR5 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:VHV6 1KW 50V NI1230HS - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET, 965-1215 MHZ, 1 - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MOSFET RF N-CH 50V NI1230H 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
| MRF6VP121KHSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 1kW 50V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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