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参数资料
| 型号： | MRF6VP3450HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 1077K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6VP3450HR6DKR |
MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Pulsed Performances
(In Freescale Broadband Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=50Vdc,IDQ
= 1200 mA, Pout
= 520 W,
f = 470--860 MHz, 50
μsec Pulse Width, 2.5% Duty Cycle
Power Gain
Gps
?
20.5
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
50
?
%
Input Return Loss
IRL
?
-- 3
?
dB
Pout
@ 1 dB Compression Point, Pulsed CW
(f = 470--860 MHz)
P1dB
?
520
?
W
Typical Two--Tone Performances
(In Freescale Broadband Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=50Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pout
= 450 W PEP,
f = 470--860 MHz, 100 kHz Tone Spacing
Power Gain
Gps
?
22
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
44
?
%
Intermodulation Distortion
IM3
?
-- 2 9
?
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-- 2
?
dB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF6VP3450HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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