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参数资料
| 型号： | MRF6VP3450HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/18页 |
| 文件大小： | 1077K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6VP3450HR6DKR |
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5
Zload
Zsource
f = 470 MHz
f = 860 MHz
f = 470 MHz
f = 860 MHz
Zo
=10?
VDD
=50Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pout
=90WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
470
2.81 -- j1.88
5.52 + j2.34
650
6.46 + j1.21
7.46 + j2.26
860
3.90 + j2.09
2.60 + j3.73
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to drain, balanced configuration.
Figure 24. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
--
-- +
+
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP41KHSR7 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S |
| MRF7P20040HSR5 | MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 |
| MRF7S15100HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
| MRF7S16150HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| MRF7S18125AHSR5 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP3450HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6VP3450HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3450HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP41KH | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6VP41KHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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