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参数资料
| 型号： | MRF6VP3450HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/18页 |
| 文件大小： | 1077K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 22.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 90W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6VP3450HR6DKR |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5
Figure 3. MRF6VP3450HR6(HSR6) Test Circuit Component Layout ? Top
Figure 3a. MRF6VP3450HR6(HSR6) Test
Circuit Component Layout ? Bottom
MRF6VP3450H
Rev. 4
B1
R1
C24
C34
C44
C36
C38
R3
C1
C2
C3
C4
C35
B2
R2
C25
C45
C37
C39
R4
C41
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C5
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C11C12
C13
C22
C7
C8
C10
C9
C40
C26
C28
CUT OUT AREA
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP41KHSR7 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6VP3450HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP41KH | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6VP41KHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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