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参数资料
| 型号： | MRF7S21170HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/17页 |
| 文件大小： | 447K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25?C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, 2110--2170 MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 170 W PEP Pout
whereIM3=--30dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
?IMD3 = IMD3 @ VBW frequency -- IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
—
25
—
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout
=50WAvg.
GF
—
0.4
—
dB
Average Deviation from Linear Phase in 60 MHz Bandwidth
@Pout
= 170 W CW
?
—
1.95
—
?
Average Group Delay @ Pout
= 170 W CW, f = 2140 MHz
Delay
—
1.7
—
ns
Part--to--Part Insertion Phase Variation @ Pout
= 170 W CW
f = 2140 MHz, Six Sigma Window
??
—
18
—
?
Gain Variation over Temperature
(--30?Cto+85?C)
?G
—
0.015
—
dB/?C
Output Power Variation over Temperature
(--30?Cto+85?C)
?P1dB
—
0.01
—
dB/?C
1. VGG
=2xVGS(Q). Parameter measured on Freescale Test Fixture, due to resistive divider network on the board. Refer to Test Circuit
schematic.
2. Part internally matched both on input and output.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MRF7S21210HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF7S21210HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S27130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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