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参数资料
| 型号： | MRF7S21170HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/17页 |
| 文件大小： | 447K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 53.56 dBm (226 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 m, Pulsed CW
12
?sec(on), 10% Duty Cycle, f = 2140 MHz
56
54
52
37 3938
41
40
44
42
Actual
Ideal
P1dB = 52.75 dBm
(188 W)
57
55
51
43
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P6dB = 53.89 dBm (244 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
53
58
59
60
61
35343332
Test Impedances per Compression Level
Zsource
?
Zload
?
P3dB
4.43 -- j11.85
0.81 -- j2.87
Figure 16. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
36
P3dB = 54.65 dBm (290 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=32Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pulsed CW
12
?sec(on), 10% Duty Cycle, f = 2140 MHz
56
54
52
37 3938
4140
42
44
Actual
Ideal
P1dB = 53.54 dBm
(226 W)
57
55
43
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P6dB = 54.88 dBm (307 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
53
58
59
60
61
62
353433
45
Test Impedances per Compression Level
Zsource
?
Zload
?
P3dB
4.43 -- j11.85
0.72 -- j2.87
Figure 17. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 32 V
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S21210HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21210HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21210HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21210HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S27130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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