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参数资料
| 型号： | MRF7S21170HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/17页 |
| 文件大小： | 447K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Figure 2. MRF7S21170HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF7S21170H
Rev 0
CUT OUT AREA
C13
R2
R1
C1
C2
R3
C4
C3
C5
C6
C7
C9 C11
C14
C15 C16
C18
C17
C10 C12
C8
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF7S21210HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21210HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21210HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S27130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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