参数资料
型号: MRF7S21170HSR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 17/17页
文件大小: 447K
描述: IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S
产品变化通告: RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS
频率: 2.11GHz
增益: 16dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.4A
功率 - 输出: 50W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-880S
供应商设备封装: NI-880S
包装: 带卷 (TR)
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Zo
=10?
Zload
Zsource
f = 2060 MHz
f = 2220 MHz
f = 2220 MHz
f = 2060 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pout
=50WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
2060
4.57 -- j10.70
1.02 -- j3.54
2080
4.57 -- j10.38
0.99 -- j3.34
2100
4.57 -- j10.06
0.96 -- j3.14
2120
4.52 -- j9.72
0.93 -- j2.94
2140
4.40 -- j9.42
0.92 -- j2.76
2160
4.15 -- j9.12
0.91 -- j2.59
2180
4.44 -- j8.82
0.89 -- j2.42
2200
4.19 -- j8.53
0.88 -- j2.25
2220
4.12 -- j8.23
0.88 -- j2.09
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
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PDF描述
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MRF7S21210HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21210HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21210HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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