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参数资料
| 型号： | MRF7S21170HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/17页 |
| 文件大小： | 447K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2220
2060
IRL
Gps
10
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 50 Watts Avg.
VDD=28Vdc,Pout
=50W(Avg.),IDQ
= 1400 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability(CCDF)
2080 220021802160
2120
2100
9
17
16
15
14
13
12
11
-- 3
36
34
32
30
28
0
-- 1
-- 2
?D
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
-- 2 5
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
?
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
2140
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2220
2060
IRL
12
Gps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 84 Watts Avg.
2080 220021802160
2120
2100
9
17
16
15
14
13
11
10
-- 5
44
42
40
38
36
-- 2
-- 3
-- 4
?D
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
PARC (dB)
-- 2 5
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
?
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
2140
Figure 5. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
10 400100
13
18
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
16
15
14
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
-- 1 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
100
-- 6 0
-- 5 0
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
400
IDQ
= 2100 mA
1750 mA
700 mA
1050 mA
1400 mA
IDQ
= 700 mA
1750 mA
1050 mA
1400 mA
2100 mA
VDD=28Vdc,Pout
=84W(Avg.),IDQ
= 1400 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S21210HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21210HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21210HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21210HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S27130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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