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参数资料
| 型号： | MRF8P20100HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/22页 |
| 文件大小： | 1196K |
| 描述： | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
21
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION, TOOLS AND SOFTWARE
Refer to the following documents, tools and software to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
Software
?
Electromigration MTTF Calculator
?
RF High Power Model
?
.s2p File
For Software and Tools, do a Part Number search at http://www.freescale.com, and select the ?Part Number? link. Go to the
Software & Tools tab on the part?s Product Summary page to download the respective tool.
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Apr. 2010
?
Initial Release of Data Sheet
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8P20140WHSR3 | FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4 |
| MRF8P20161HSR3 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| MRF8P20165WHSR3 | FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4 |
| MRF8P23080HSR3 | FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780S-4 |
| MRF8P9040GNR1 | IC MOSFET RF N-CHAN TO-270 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8P20100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 100W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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