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参数资料
| 型号： | MRF8P20100HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/22页 |
| 文件大小： | 1196K |
| 描述： | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? GSM EDGE
-- 8 0
-- 4 5
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 5 0
-- 5 5
-- 6 0
-- 7 0
20
Figure 25. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
40 12060 80 100
-- 6 5
-- 7 5
VDD
=28Vdc
IDQA
=IDQB
= 330 mA
EDGE Modulation
1805 MHz
1880 MHz
1840 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
300
4
10
8
6
0
10
1
2
24
60
48
36
0
12
Figure 26. EVM and Drain Efficiency
versus Output Power
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
EVM
ηD
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
VDD
=28Vdc
IDQA
=IDQB
= 330 mA
EDGE Modulation
Figure 27. Broadband Frequency Response
0
18
1450
f, FREQUENCY (MHz)
3--30VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQA
=IDQB
= 330 mA
12
9
6
1615
GAIN (dB)
15
Gain
1780 1945 2110 2275 2440 2605 2770
IRL
-- 3 6
0
-- 6
-- 1 2
-- 1 8
-- 2 4
IRL (dB)
100
1805 MHz
1880 MHz
1840 MHz
1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| MRF8P20140WHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8P20140WHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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