参数资料
型号: MRF8P20100HSR3
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 22/22页
文件大小: 1196K
描述: FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4
标准包装: 250
晶体管类型: LDMOS(双)
频率: 2.03GHz
增益: 16dB
电压 - 测试: 28V
电流 - 测试: 400mA
功率 - 输出: 20W
电压 - 额定: 65V
封装/外壳: NI-780HS-4
供应商设备封装: NI-780HS-4
包装: 带卷 (TR)
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
21 3723 31 33 3527
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc, IDQA
= 400 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on), 10% Duty Cycle
47
43
39
29
49
45
33
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
41
51
55
25
19
17
53
37
35
15
Ideal
Actual
2010 MHz
2025 MHz
2010 MHz
2025 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2010
62
47.9
76
48.8
2025
63
48.0
78
48.9
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
2010
P1dB
2.83 -- j12.46
3.18 -- j6.16
2025
P1dB
3.43 -- j13.20
3.16 -- j6.14
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
NOTE: Measurement made on the Class AB, carrier side of the device.
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MRF8P20140WHR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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