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参数资料
| 型号： | MRF8P20100HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 19/22页 |
| 文件大小： | 1196K |
| 描述： | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
1880
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 20 Watts Avg.
-- 2 5
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
14
17
16.7
16.4
-- 3 5
46
44
42
40
-- 2 5
-- 2 7
-- 2 9
-- 3 1
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16.1
15.8
15.5
15.2
14.9
14.6
14.3
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
38
-- 3 3
-- 3 0
PARC
PARC (dB)
-- 2 . 3
-- 1 . 5
-- 1 . 7
-- 1 . 9
-- 2 . 1
-- 2 . 5
ACPR (dBc)
Figure 5. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 7 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 6 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 5 0
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD
=28Vdc,Pout
= 20 W (PEP)
IDQA
= 400 mA, VGSB
=1.3Vdc
Figure 6. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 2
-- 4
-- 6
10
-- 1
-- 3
-- 5
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
0
20 30 5040
0
60
50
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
--1dB=9W
--2dB=17.5W
-- 3 d B = 2 6 W
ηD
ACPR
PARC
ACPR (dBc)
-- 5 5
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 5
-- 4 0
-- 5 0
17
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16.5
16
15.5
15
14.5
14
Gps
VDD=28Vdc,Pout
=20W(Avg.),IDQA
= 400 mA
VGSB
= 1.3 Vdc, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR =
9.9 dB @ 0.01%
Probability
on CCDF
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2017.5 MHz
VDD
=28Vdc,IDQA
= 400 mA, VGSB
=1.3Vdc
f = 2017.5 MHz, Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
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