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参数资料
| 型号： | MRF8P20100HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 20/22页 |
| 文件大小： | 1196K |
| 描述： | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
-- 2 0
12
18
0
60
50
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel17
Bandwidth
16
10 100
10
-- 6 0
ACPR (dBc)
15
2010 MHz
14
13
0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
Figure 8. Broadband Frequency Response
0
18
1800
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQA
= 400 mA
VGSB
=1.3Vdc
12
9
6
1835
GAIN (dB)
15
Gain
1870 1905 1940 1975 2010 2045 2080
IRL
-- 2 4
0
-- 4
-- 8
-- 1 2
-- 1 6
IRL (dB)
3--20
2017.5 MHz
2025 MHz
2025 MHz
2017.5 MHz
2010 MHz
VDD=28Vdc,IDQA
= 400 mA, VGSB
=1.3Vdc
ηD
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
W--CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 9. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
PROBABILITY (%)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Input Signal
12
-- 6 0
--100
10
(dB)
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
3.84 MHz
Channel BW
-- 9 9-- 7 . 2
7.2
1.8 5.43.6
0
-- 1 . 8
-- 3 . 6
-- 5 . 4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
-- 1 0
0
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