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参数资料
| 型号： | MRF8P20100HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/22页 |
| 文件大小： | 1196K |
| 描述： | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 2.03GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780HS-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780HS-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
VDD
=28Vdc,IDQA
= 400 mA, VGSB
=1.3Vdc,Pout
=20WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1880
2.22 -- j7.34
6.32 -- j6.84
1900
2.27 -- j7.04
6.13 -- j6.84
1920
2.35 -- j6.75
5.91 -- j6.87
1940
2.41 -- j6.52
5.61 -- j6.97
1960
2.40 -- j6.33
5.25 -- j7.09
1980
2.42 -- j6.19
4.95 -- j7.22
2000
2.45 -- j6.17
4.62 -- j7.41
2020
2.34 -- j6.19
4.09 -- j7.46
2040
2.15 -- j5.91
3.56 -- j7.08
Note: Measured with Peaking side open.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 18. Series Equivalent Source and Load Impedance ? Carrier Side ? 1880 MHz
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
VDD
=28Vdc,IDQA
= 400 mA, VGSB
=1.3Vdc,Pout
=20WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1880
2.67 -- j6.62
0.50 -- j3.80
1900
2.71 -- j6.34
0.66 -- j3.23
1920
2.76 -- j6.11
0.88 -- j2.69
1940
2.69 -- j5.98
1.10 -- j2.22
1960
2.62 -- j5.84
1.36 -- j1.80
1980
2.58 -- j5.76
1.66 -- j1.45
2000
2.50 -- j5.75
2.03 -- j1.17
2020
2.29 -- j5.63
2.37 -- j0.98
2040
2.11 -- j5.23
2.64 -- j0.79
Note: Measured with Carrier side open.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 19. Series Equivalent Source and Load Impedance ? Peaking Side ? 1880 MHz
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
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PDF描述 |
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