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参数资料
| 型号： | MRFE6VP8600HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/20页 |
| 文件大小： | 1263K |
| 描述： | RF FET LDMOS 50V NI1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 19.3dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 130V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 860 MHz
IDS(Q)
= 100 mA
Figure 4. Normalized VGS
Quiescent versus
Case Temperature
NORMALIZED V
GS(Q)
3.3
0
10
2.1 2.32.2
VGS, GATE--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Drain Current versus Gate--Source Voltage
2.4
2.5 2.7 2.92.8 3 3.1 3.2
9
4
VDD
=50Vdc
Note:
Measured with both sides of the transistor tied together.
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
1.06
1.05
1.04
1400 mA
1.02
1900 mA
1.01
1.03
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0.94
100
-- 5 0 0--25 25 50 75
2400 mA
VDD
=50Vdc
8
7
6
5
2
3
1
2.6
I
DD
, DRAIN CURRENT (AMPS)
40 Vdc
30 Vdc
20 Vdc
10 Vdc
50
1
1000
02010
30
40
VDS, DRAIN--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance versus Drain--Source Voltage
C, CAPACITANCE (pF)
100
10
Coss
Measured with
±30 mV(rms)ac @ 1 MHz
VGS
=0Vdc
Note:
Each side of device measured separately.
Crss
50
64
32
62
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 7. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
60
43
58
36 37 38 39 40 41 42
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P3dB = 59.0 dBm (794 W)
Actual
Ideal
P2dB = 58.8 dBm (759 W)
VDD
=50Vdc,IDQ
= 1400 mA, f = 860 MHz
Pulse Width = 100
μsec, Duty Cycle = 10%
56
54
34 35
33
P1dB = 58.4 dBm (692 W)
52
Figure 8. Pulsed Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
G
ps
, POWER GAIN (dB)
16
22
10
19
21
20
100 1000
ηD
Gps
18
17
VDD
=50Vdc,IDQ
= 1400 mA
f = 860 MHz
Pulse Width = 100
μsec
Duty Cycle = 10%
0
60
50
20
40
30
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
10
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