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参数资料
| 型号： | MRFE6VP8600HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 20/20页 |
| 文件大小： | 1263K |
| 描述： | RF FET LDMOS 50V NI1230H |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 860MHz |
| 增益： | 19.3dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 130V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
470--860 MHz REFERENCE CIRCUIT
VDD
=50Volts,IDQ
= 1400 mA, Channel Bandwidth = 8 MHz, Input
Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF, TC
=50°C.
Signal Type
Pout
(W)
f
(MHz)
Gps
(dB)
ηD
(%)
Output
PAR
(dB)
IMD
Shoulder
(dBc)
DVB--T (8k OFDM)
125 Avg.
470
19.0
27.2
8.2
--31.1
650
20.3
30.6
7.6
--30.3
860
19.0
27.9
7.7
--30.4
Figure 14. MRFE6VP8600HR6(HSR6) Broadband Test Circuit Component Layout ? 470--860 MHz
MRFE6VP8600H
Rev. 1
C1
C2
L1
R1
COAX1
COAX2
C4
C5
C6
C7
C8
C9*
C13
C14
L2
R2
C39 C40
COAX3
COAX4
C35
C34
C32
C31
C33*
C18
C19
*C9, C11, C12, C21, C22, C23, C24, C25, C26, C27, C28, C29, C30 and C33 are mounted vertically.
C3
C10
C11*
C12*
C15
C38
C37
C36
C29*
C30*
C24*
C23*
C25*
C26*
C27*
C28*
C21*
C22*
C20
C17
C16
C6
Q1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84312C90B104 | FILTER COMM LINE EMP 0.1A 100VAC |
| MC22FD122J-TF | CAP MICA 1200PF 500V 5% 2220 |
| MTM8106DRA04 | SW TOGGLE SPDT SHORT LVR RA PC |
| B84312F60B1 | FILTER COMM LINE 0.1A 100VAC |
| MC22FD112J-TF | CAP MICA 1100PF 500V 5% 2220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP8600HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor |
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